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型号: MMBT2907ALT1
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内容描述: SOT- 23塑封装晶体管 [SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 41 K
品牌: AVICTEK [ Avic Technology ]
   
@vic
MMBT2907ALT1
SOT- 23塑封装晶体管
MMBT2907ALT1
特点
功耗
P
厘米:
0.3
晶体管( PNP )
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
W(环境温度Tamb = 25℃)
1. 0
2. 4
1. 3
0. 95
集电极电流
-0.6 A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
-60 V
V
( BR ) CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50毫安
I
C
= -500mA ,我
B
= -50毫安
V
CE
= -20V ,我
C
= -50mA
跃迁频率
2. 9
1. 9
0. 95
单位:mm
除非另有规定编)
TEST
条件
-60
-60
-5
-0.1
-0.1
-0.1
100
50
-1
-2
V
V
300
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
µA
IC = -10μA ,我
E
=0
I
C
= -10毫安,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
CB
= -3V ,我
B
=0
V
EB
= -3V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
= -150mA
f
T
f =
100MHz
200
0. 4
兆赫
器件标识:
MMBT2907ALT1 = 2F
版权所有@vic电子股份有限公司
网站http://www.avictek.com