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IMBF170R450M1

CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
暂无信息
0 INFINEON

FDP8870

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,156A,4.1mΩ
局域网PC开关晶体管
0 ONSEMI

GRM1885C1H4R0BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

R6024KNZ4

R6xxxKNx系列是重视高效性,以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。
开关功率因数校正
0 ROHM

IKY75N120CS6

TRENCHSTOP™ IGBT6
双极性晶体管
0 INFINEON

PMXB65ENE

30 V, N-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

NGTB50N60L2WG

IGBT 600V 50A FS2 低饱和压
双极性晶体管
0 ONSEMI

GRM0332C1E7R2DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCJ21BR71E334KA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDS89161

双 N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,2.7A,105mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

GRM033R71H471MA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1552C1H5R7DA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

ISC010N04NM6

凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET,英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth,这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
电池驱动栅极
0 INFINEON

BSC061N08NS5

OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.
暂无信息
0 INFINEON

PMV48XP

20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFETProduction
PC开关光电二极管晶体管
0 NEXPERIA