TAP686016 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TAP686016
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	Sectiom 3 ：前言简介 [Sectiom 3: Introduction Foreword]
分类和应用：
文件页数/大小：	16 页 / 390 K
品牌：	AVX [ AVX CORPORATION ]

TAP / TEP技术总结和

应用指南

1.3.4温度的介质损耗因数的依赖

随着温度的典型损耗因数变化

曲线显示在右边。为最大极限请参阅

评分表。

典型的曲线，损耗因子与温度的关系

100 F / 6V

DF ％

1 F / 35V

-55 -40 -20

0 20 40 60 80 100 125

温度℃

1.4阻抗（ Z）和等效串联电阻（ESR ）

1.4.1阻抗Z

这是电压与电流以指定的频率的比值。

三个因素促成了钽的阻抗

电容;半导体层的电阻，

的电容，并且在电极的电感和

导致。

在高频时的引线的电感变为

限制因素。的温度和频率特性

阻抗，这三个因素决定的行为

的阻抗Z的阻抗的测量是在25℃和

为100kHz。

1.4.2等效串联电阻， ESR的

发生在电容器的所有实际形式的阻力损失。

这些都是从几个不同的机制组成，

包括组件和接触性，粘性

在电介质内的力量，并产生旁路缺陷

当前的路径。表达这些损失它们的效果

考虑作为电容器的ESR 。 ESR是频率

依赖。的ESR可以发现通过使用下面的关系：

ESR =谭

2πfC

其中，f是以Hz为单位的频率， C是电容

法拉。 ESR的测定在25℃和100千赫兹。

ESR是一个贡献因素的阻抗，并且在

高的频率（100 kHz和以上）是主导因素，

使ESR和阻抗变得几乎相同，

阻抗是小幅走高。

1.4.3高频阻抗和ESR的依赖

ESR和阻抗都增加与减少频率。

在较低频率下的值发散的额外contri-

半导体的butions到阻抗（电阻

层等）变得更显著。超过1兆赫（和

超出电容器的谐振点）阻抗再次

由于增加了感应。

阻抗和ESR的频率依赖性

100

ESR （）

0.1

μF

0.33

μF

0.1

μF

100

μF

330

μF

0.01

100

10k

频率f（赫兹）

阻抗（ Z）

ESR

100k

152

■

2013年5月

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案