亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VR
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
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•
•
•
•
•
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•
绿色和符合RoHS /
铅（Pb ），免费使用套餐
增强的启用操作
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为AZ100EL16VO
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个MLP 16或MLP 8
包
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
包
MLP 16 （ 3×3 ）
MLP 16 （ 3×3 ）符合RoHS
符合/铅
（以Pb计）免费
MLP 8 （ 2×2 ）绿色/
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
DIE
1
2
3
包装可用性
产品型号
AZ100LVEL16VRL
AZ100LVEL16VRL+
AZ100LVEL16VRNEG
AZ100LVEL16VRX
记号
AZM
16R
<date code>
AZM +
16R
<date code>
R5G
<date code>
不适用
笔记
1,2
1,2
1,2
3
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）
磁带&卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
描述
该AZ100LVEL16VR是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级
功能。在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
¯
¯
MLP 16 ， 3×3毫米封装（ VRL ）或死亡（ VRX ）
该AZ100LVEL16VR提供可选择的Q
HG
/Q
HG
启用允许通过连续振荡运行
¯
在Q / Q输出。下页的启用真值表所示的操作模式。离开EN - SEL开（ NC）
¯
选择PECL / ECL操作为EN垫/引脚。在这种模式下在Q
HG
/Q
HG
输出使能时， EN留下
¯
开（ NC）或设置为PECL / ECL低。
连接EN - SEL到V
CC
, V
EE
或V
BB
选择CMOS操作的EN垫/引脚。当EN - SEL被绑定到
V
EE
时，Q
HG
/Q
HG
输出被禁止，当EN处于打开状态（ NC） 。当EN - SEL被连接到V
CC
或V
BB
时，Q
HG
/Q
¯
¯
1
HG
当EN为开路输出被使能。这种默认的逻辑条件可以通过重写
≤20kΩ
电阻器
连接到相对供给。
该AZ100LVEL16VR还提供了一个V
BB
和470Ω内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。该
¯
V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流。 V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。查看该电流源真值表
¯
下页为支持的值。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值
总25mA电流的Q / Q输出。
¯
每个Q的
HG
/Q
HG
输出为10 mA时，可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
is
¯
悬空（ NC） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
¯
连接到V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少通过使用
¯
V之间的电阻
EEP
和V
EE
.
这种操作模式（ EN - SEL到V
CC
或V
BB
）不支持之前的0428日期代码（ 2004年7月） 。 EN - SEL到V
EE
支持所有的
日期码。
1
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
•
亚利桑那州Mesa 85204
•
美国
•
(480) 962-5881
•
传真（ 480 ） 890-2541
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