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AZ100LVEL16VTNB 参数 Datasheet PDF下载

AZ100LVEL16VTNB图片预览
型号: AZ100LVEL16VTNB
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内容描述: ECL / PECL振荡器增益级和缓冲区,可选择启用 [ECL/PECL Oscillator Gain Stage & Buffer with Selectable Enable]
分类和应用: 振荡器
文件页数/大小: 13 页 / 216 K
品牌: AZM [ ARIZONA MICROTEK, INC ]
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AZ100LVEL16VT
亚利桑那州晶公司
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ,可选择启用
特点
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为
AZ100LVEL16VR除
残疾人状况:Q
HG
是高
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值( CMOS / TTL或PECL )
可在一个3×3毫米或2×2毫米
MLP封装
S参数( .s2p )与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
符合RoHS /
铅(Pb )免费
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
符合RoHS /
铅(Pb )免费
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
符合RoHS /
铅(Pb )免费
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
MLP 8 ( 2x2x0.75 )
符合RoHS /
铅(Pb )免费
MLP 16 ( 3×3 )
MLP 16 ( 3×3 )符合RoHS
符合/铅(Pb )
免费
DIE
1
2
3
4
5
6
包装可用性
产品型号
AZ100LVEL16VTNA
AZ100LVEL16VTNA+
AZ100LVEL16VTNB
AZ100LVEL16VTNB+
AZ100LVEL16VTNC
AZ100LVEL16VTNC+
AZ100LVEL16VTND
AZ100LVEL16VTND+
AZ100LVEL16VTL
AZ100LVEL16VTL+
AZ100LVEL16VTXP
记号
P9
<date code>
P9+
<date code>
P8
<date code>
P8+
<date code>
P2
<date code>
P2+
<date code>
P3
<date code>
P3+
<date code>
AZM
16T
<date code>
AZM +
16T
<date code>
不适用
笔记
1,2,3
1,2
1,2,4
1,2
1,2,5
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
6
描述
添加R1在零件编号最后为7英寸( 1K件) , R2为13英寸( 2.5K部分)磁带
& REEL 。
日期代码格式为:“ Y”或“ YY”的一年,其次是“ WW ”的一周。
部分标记为TNA日期代码之前, 4WW ( 2004年以前) 。
部分标注TNB日期代码之前, 4WW ( 2004年以前) 。
部分跨国公司标记日期代码之前, 4WW ( 2004年以前) 。
华夫格包
该AZ100LVEL16VT是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级。
在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
¯
¯
MLP 16 , 3×3毫米封装( VTL )或死亡( VTX )
该AZ100LVEL16VTL和AZ100LVEL16VTX提供一个可选择的使能输入端(EN) ,它允许
连续振荡运行。见真值表启用功能。如果使能上拉需要在
CMOS / TTL模式下,外部
≤20
kΩ电阻连接EN到V
CC
将覆盖片上下拉电阻。
禁用时, Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。该AZ100LVEL16VTL / VTX也
¯
提供了一个V
BB
和470
Ω
内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
引脚可以支持1.5毫安
¯
灌/拉电流。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
输出Q和每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅以下真值表当前
¯
源功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流到最大总共25毫安。
1630 S. STAPLEY DR 。 , SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真( 480 ) 890-2541
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