亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VV
双频ECL / PECL振荡器增益级&缓冲区启用
特点
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•
•
•
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为AZ100EL16VR
除具有可选择的数据输入对
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可在一个3x3mm的封装MLP
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
可在亚利桑那州的文件
中晶网
包
MLP 16 （ 3×3 ）符合RoHS
符合/铅（Pb ）
免费
DIE
1
2
3
包装可用性
产品型号
AZ100LVEL16VVL+
AZ100LVEL16VVXP
记号
AZM +
16K
<date code>
不适用
笔记
1,2
3
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）磁带
& REEL 。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
描述
该AZ100LVEL16VV是用两个可选择的数据输入对一个专门的振荡器增益级和一个高增益
输出缓冲器包括一个使能。在Q
HG
/Q
HG
输出具有比Q / Q更高的电压增益几次
¯
¯
输出。
该AZ100LVEL16VV提供了两种可选的数据输入对，允许两种不同的切换
振荡器的频率。当选择引脚（ SEL ）为低或打开（ NC）从D0 / D0数据被选中。当
¯¯
SEL引脚是从D1 / D1高的数据被选中。允许连续振荡操作， （ EN ）使作品
¯¯
无论使用哪种数据输入对。当EN为高电平或开（NC） ，输入数据被传递给这两组输出。当EN
为低电平时，Q
HG
/Q
HG
输出将被分别被迫低/高，而输入数据将继续被传递到
¯
在Q / Q输出。 EN和SEL输入可以驱动与ECL / PECL信号或一个完整的电源摆幅CMOS
¯
输入逻辑信号。
该AZ100LVEL16VV还提供了一个V
BB
有1.5毫安汇/源出电流。每个数据输入端分别
连接到V
BB
一个470Ω的内部偏置电阻。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容
推荐使用。
每个Q / Q输出具有4毫安片上下拉电流源。外部电阻器，也可以用于增加
¯
下拉在Q的电流/ Q以一个最大25毫安每个（包括4毫安片上电流源） 。
¯
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
•
亚利桑那州Mesa 85204
•
美国
•
(480) 962-5881
•
传真（ 480 ） 890-2541
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