亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VR
表7 - 100K LVPECL直流特性
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
100K LVPECL直流特性（ VEE = GND ， VCC = + 3.3V ）
符号
V
OH
V
OL
V
BB
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
参考电压
1
输入高电压D / D， EN （ ECL ）
3
¯
输入高电压EN （ CMOS ）
4
输入低电压D / D， EN （ ECL ）
3
¯
输入低电压EN （ CMOS ）
4
输入大电流EN
输入低电平电流EN （ ECL ）
输入低电平电流EN （ CMOS ）
电源电流
2
0.5
-150
48
-40°C
民
2255
1375
1910
2135
2000
1400
GND
最大
2465
1745
2050
2560
V
CC
1825
800
150
0.5
-150
48
民
2275
1400
1910
2135
2000
1400
GND
0°C
最大
2465
1680
2050
2560
V
CC
1825
800
150
0.5
-150
48
民
2275
1400
1910
2135
2000
1400
GND
25°C
最大
2465
1680
2050
2560
V
CC
1825
800
150
0.5
-150
54
85°C
民
2275
1400
1910
2135
2000
1400
GND
最大
2465
1680
2050
2560
V
CC
1825
800
150
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
µA
µA
µA
mA
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
¯
与V指定
EEP
和CS- SEL的NC中，Q
HG
/Q
HG
通过50Ω电阻到V终止
CC
- 2V.
EN - SEL = NC 。
EN - SEL = V
CC
或V
EE
.
表8 - 100K PECL直流特性
100K PECL直流特性（ VEE = GND ， VCC = + 5.0V ）
符号
V
OH
V
OL
V
BB
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
参考电压
1
输入高电压D / D， EN （ ECL ）
3
¯
输入高电压EN （ CMOS ）
4
输入低电压D / D， EN （ ECL ）
3
¯
输入低电压EN （ CMOS ）
4
输入大电流EN
输入低电平电流EN （ ECL ）
输入低电平电流EN （ CMOS ）
电源电流
2
0.5
-150
48
-40°C
民
3955
3075
3610
3835
2000
3100
GND
最大
4165
3445
3750
4260
V
CC
3525
800
150
0.5
-150
48
民
3975
3100
3610
3835
2000
3100
GND
0°C
最大
4165
3380
3750
4260
V
CC
3525
800
150
0.5
-150
48
民
3975
3100
3610
3835
2000
3100
GND
25°C
最大
4165
3380
3750
4260
V
CC
3525
800
150
0.5
-150
54
85°C
民
3975
3100
3610
3835
2000
3100
GND
最大
4165
3380
3750
4260
V
CC
3525
800
150
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
µA
µA
µA
mA
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
¯
与V指定
EEP
和CS- SEL的NC中，Q
HG
/Q
HG
通过50Ω电阻到V终止
CC
- 2V.
EN - SEL = NC 。
EN - SEL = V
CC
或V
EE
.
+1-480-962-5881
9
2012年5月，版本2.0
AZM [ ARIZONA MICROTEK, INC ]
