AZV99
MLP 8 ， 2×2毫米的封装， NA ， NB & ND选项
该AZV99的MLP 8 NA ， NB和ND选项提供了一个PECL / ECL水平使能输入（ EN当
¯¯¯).
¯¯¯输入为低电平，则Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当¯¯¯为高时，Q输出
EN
¯
¯
EN
¯
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
¯
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
¯
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
该AZV99NB和AZV99ND版本采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
¯
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
TSSOP 8封装（T ） ， MLP 8封装， （ N）
采用TSSOP 8 （ T）和MLP 8 （ N）版本的AZV99提供一个CMOS / TTL电平使能输入（ EN） 。当
EN输入为高电平时， Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当EN为低电平时，输出Q
¯
¯
¯
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
¯
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
¯
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
TSSOP封装8 （T）和MLP 8 （N）的AZV99采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
¯
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
引脚说明
Q
4毫安EA 。
针
D/D
¯
Q/Q
¯
Q
HG
/Q
HG
¯
V
BB
EN -SEL
EN / EN
¯¯
CS- SEL
V
EE
V
CC
功能
数据输入
PECL数据输出
LVDS数据输出
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
¯
负电源
正电源
Q
D
D
470
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
V
BB
V
EE
EN / EN
CMOS / TTL
门槛
EN -SEL
启用真值表
EN -SEL
EN / EN
¯¯¯
Q/Q
¯
Q
HG
Q
HG
¯
电流源真值表
CS- SEL
Q
Q
¯
NC
4毫安典型。
4毫安典型。
1
V
EE
8毫安典型。
8毫安典型。
1
0
4毫安典型。
V
CC
1
CS- SEL连接必须小于1Ω 。
NC
PECL低开或常闭
数据数据数据
NC
PECL高或V
CC
数据高低
1
CMOS / TTL低，V
EE
或NC
V
EE
数据高低
1
2
V
EE
CMOS / TTL高或V
CC
数据数据数据
1
EN -SEL连接必须小于1Ω 。
2
外部
≤20kΩ
上拉电阻EN和V之间
CC
确保了
高当EN引脚没有驱动。
2009年6月* REV - 13
www.azmicrotek.com
2
AZM [ ARIZONA MICROTEK, INC ]
