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ADS7810U 参数 Datasheet PDF下载

ADS7810U图片预览
型号: ADS7810U
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内容描述: 12位800kHz的采样CMOS模拟数字转换器 [12-Bit 800kHz Sampling CMOS ANALOG-to-DIGITAL CONVERTER]
分类和应用: 转换器模数转换器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 210 K
品牌: BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
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引脚分配
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
名字
V
IN
AGND1
REF
AGND2
D11 (MSB)
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
DGND
D3
D2
D1
D0 ( LSB )
数字
I / O
描述
模拟输入。通过50Ω连接到模拟输入。满量程输入范围
±10V.
模拟地。内部使用的接地参考点。最小电流。
基准输入/输出。为+ 2.5V标称输出内部参考。也可以由外部系统驱动
参考。在这两种情况下,去耦至地, 0.1μF的陶瓷电容。
基准缓冲输出。 10μF的钽电容到地。名义上+ 2V 。
模拟地。
数据位11,最高位转换结果( MSB ) 。 Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为
低,或当转换正在进行中。
数据位10, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位9高阻状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位8, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位7, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位6, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位5, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位4高阻状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数字地。
数据位3, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位2, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位1, Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为低,或当转换正在进行中。
数据位转换结果为0的最低有效位(LSB ) 。 Hi-Z状态,当CS为高电平时,或者当R / C为
低,或当转换正在进行中。
没有内部连接。
模拟正电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚21 , 27和28 。
数字电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚20 , 27和28 。
数字地。
读/转换输入。在CS为低电平, R上的下降沿/ C使内部采样/保持进入保持状态,
启动转换。在CS为低电平,并没有进行中的转换,在R / ℃的上升沿使能输出
数据位。
片选。随着R / C低,在CS下降沿将启动转换。同
R / C高,并没有进行中的转换,在CS下降沿将使输出数据位。
忙碌的输出。当转换开始下跌,并保持低电平直到转换完成,
数据被锁存到输出寄存器。在CS为低电平和R / C高,输出数据将是有效的,当BUSY
上升时,使上升沿可以用来锁存数据。
模拟负电源输入。名义上-5V 。去耦至地0.1μF陶瓷和10μF tantulum
电容器。
数字电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚20 , 21和28 。
模拟正电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚20 , 21和27 ,和去耦到地
用0.1μF陶瓷和10μF tantulum电容。
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
+V
ANA
+V
DIG
DGND
的R / C
I
24
25
CS
I
O
26
27
28
–V
ANA
+V
DIG
+V
ANA
引脚配置
V
IN
AGND1
REF
AGND2
D11 (MSB)
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
DGND
1
2
3
4
5
6
7
ADS7810
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
+V
ANA
+V
DIG
–V
ANA
CS
的R / C
DGND
+V
DIG
+V
ANA
NC
(1)
D0 ( LSB )
D1
D2
D3
注: ( 1 )内部没有连接。
®
ADS7810
4