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REF3040AIDBZT图片预览
型号: REF3040AIDBZT
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内容描述: 50PPM /℃ , 50uA的在SOT23-3 CMOS电压基准 [50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE]
分类和应用: 光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 412 K
品牌: BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
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工作原理
该REF30xx是一个系列, CMOS ,精密带隙电压
参考。它的基本拓扑结构示于图1中。
晶体管Q1
1
和Q
2
被偏置,使得电流
Q密度
1
大于Q的
2
。的的区别
两个基极 - 发射极电压, Vbe的
1
- Vbe的
2
,具有正的
温度系数与在电阻器R被强制
1
。这
电压的不断积累起来,并加入到所述基极 - 发射极电压
Q的
2
,它具有负的系数。所得到的输出
电压几乎与温度无关。曲率
带隙电压的,如在典型的曲线看出, “输出
电压与温度的关系“,是由于略微的非线性
Q的基极 - 发射极电压的温度系数
2
.
该REF30xx具有低静态电流,这是
以上变化对温度极其稳定,
供应量。在典型的室温下的静态电流
42μA ,最大静态电流随温度
只有59μA 。此外,静态电流典型地
变化小于2.5μA ,在整个电源电压范围,如
在网络连接gure 3所示。
指定水平低于电源电压可能会导致
REF30xx短暂地汲取电流大于
典型静态电流。使用的电源具有快速
上升沿和低输出阻抗很容易地防止了这一点。
电源电流与输入电压
42.5
42.0
I
Q
(µA)
41.5
41.0
+
+
VBE
1
VBE
2
R
1
40.5
Q
1
Q
2
40.0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
IN
(V)
4
4.5
5
5.5
6
图3.电源电流与电源电压。
图1的带隙基准原理示意图。
热滞
应用信息
该REF30xx不需要负载电容,并且是稳定的
与任何电容性负载。图2示出了典型的连接
所需REF30xx的操作。一个电源旁路
建议使用0.47μF的电容。
为REF30xx热滞后的定义为变化
在输出电压在25℃时,循环操作所述设备之后
该装置通过在规定的温度范围内,并
恢复到25 ℃,并且可表示为:
ABS V
PRE
– V
POST
6
V
HYST
= 
 •
10
(
PPM
)
V
其中:V
HYST
=计算滞后
V
PRE
=测得在25℃下预输出电压
温度循环
V
IN
1
0.47µF
REF30xx
3
V
OUT
2
V
POST
=输出电压时,测得的设备有
在25℃下被操作时,通过指定的循环
范围为-40 ° C至+ 125°C ,并恢复运行的
25°C.
经营REF30xx图2.典型的连接。
温度漂移
该REF30xx的设计表现出最小的漂移误差,定义
如在输出电压的变化在变化的温度下进行。
使用漂移测量的“盒子”的方法,该REF30xx
拥有20ppm的典型漂移系数在0 ° C至70 ° C -
使用用于许多应用中,初级的温度范围。
为-40° C至125°C的工业温度范围内工作,
REF30xx系列漂移增加到50ppm的典型值。
电源电压
该REF30xx系列引用功能极低
压差。除REF3012 ,哪
具有1.8V的最小电源要求, REF30xx
可以只为1mV以上的输出的电压下工作
电压在无负荷状态。对于负载的条件下,
典型的压差电压与负载显示在封面
页。
8
REF3012 , 3020 , 3025 , 3030 , 3033 , 3040
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