数据表
电流模式PWM控制器
电气特性（续）
参数
符号
条件
AP3842C/AP3844C
AP3843C/AP3845C
分钟。工作电压
（开机后）
PWM节
马克斯。占空比
分钟。占空比
启动电流
工作电源电流
齐纳电压
D（最大）
D（最大）
D（民）。
I
ST
I
CC
（ OPR ）
V
Z
T
关闭
T
HYS
Vpin3=Vpin2=0V
I
CC
=25mA
（注6 ）
（注6 ）
30
50
8
34
AP3842C/AP3843C
AP3844C/AP3845C
95
46
97
48
100
50
0
80
12
%
%
%
µA
mA
V
V
OPR
（分）
AP3842C/AP3844C
AP3843C/AP3845C
民
15
7.8
8.5
7.0
典型值
16
8.4
10.0
7.6
最大
17
9.0
11.5
8.2
单位
V
V
V
V
- 电压下段闭锁
启动阈值
V
TH
（ST）的
AP384XC
总待机电流节
过温PROTECT节
关断温度
温度迟滞
155
25
o
C
o
C
注4 ：参数是在锁与VPIN2 = 0的跳变点进行测试。
注5 ：在这里，增益定义为：
ΔVpin
1
A=
, 0
≤
Vpin3
≤
0.8V
ΔVpin
3
注6 ：这些参数，虽然保证，未在生产100 ％测试。
注7 ：此参数的测量与RT = 10K
Ω
到V
REF ，
它有利于电流0.3毫安于所测量的值。
因此总电流流入CT引脚会比的测定值约0.3毫安更高。
V
REF
4.7k
R
T
2N2222
1
AP384XC
COMP
V
REF
V
CC
8
A
V
CC
1k
误差放大器
调整
4.7k
100k
2
V
FB
7
5k
I
SENSE
调整
0.1µF
3
I
SENSE
产量
R
T
/C
T
GND
6
1K
1W
产量
0.1µF
4
5
GND
C
T
图4.基本测试电路
2006年9月修订版1.1
BCD半导体制造有限公司
7
BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
