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     CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
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    NFM18CC223R1C3#

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    GCM31A5C3A470FX01#

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    医疗医疗器械
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    MC78M05CDTX

     线性稳压器，正向，5.0 V，500 mA
    输出元件稳压器调节器
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    GCG1555C1H9R8DA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    PSMN0R9-25YLD

     N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction
    开关脉冲晶体管
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    FDP3651U

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，80A，18mΩ
    局域网开关脉冲晶体管
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    ZRB18AD71A106KE01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    IPB60R080P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
    栅栅极
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    GRM155R71H182JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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