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BL8593 参数 Datasheet PDF下载

BL8593图片预览
型号: BL8593
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内容描述: P沟道MOSFET具有0.12V的肖特基二极管 [P-Channel MOSFET with 0.12V Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 6 页 / 495 K
品牌: BELLING [ SHANGHAI BELLING CO., LTD. ]
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BL8593
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
T=25°C unless specified.
Output Characteristics
Vgs=-1v
800
700
600
rdson (ohm)
20
On Resistance Vs Vgs
Vgs=-4v
25
Vgs=-2v
Vgs=-3v
-Ids (mA)
500
400
15
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
10
5
0
0
1
2
-Vgs (V)
3
4
5
-Vds (V)
Dropout Voltage (Vds) Vs. Charge
current (Ids), T = 25
o
C
1.8
1.6
1.4
1.2
-Vds (V)
Vgs=-5V
Vgs=-4V
Vgs=-3V
Vgs=-2V
Vgs=-1V
Dropout Voltage (Vds) Vs. Charge
current (Ids), T = 80
o
C
1.4
1.2
1
Vgs=-5V
Vgs=-4V
Vgs=-3V
Vgs=-2V
Vgs=-1V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
200
300
-Ids (mA)
400
500
600
-Vds (V)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
100
200
300
-Ids (mA)
400
500
600
Dropout Voltage (Vds) Vs. Charge
current (Ids), T = 125
o
C
1.8
1.6
1.4
1.2
-Vds (V)
Dropout Voltage (Vds) Vs. Charge
current (Ids), T = -25
o
C
1
0.9
Vgs=-5V
Vgs=-4V
Vgs=-3V
Vgs=-2V
Vgs=-1V
Vgs=-5V
Vgs=-4V
Vgs=-3V
Vgs=-2V
Vgs=-1V
0.8
0.7
-Vds (V)
200
300
-Ids (mA)
400
500
600
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
100
0
100
200
300
-Ids (mA)
400
500
600
www.belling.com.cn
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