BL7432SM低压智能2K位
EEPROM
通过控制字节开始LSB首先被发送。
字节1控制
B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
2字节
地址
A7~A0
地址
地址
无影响
地址
BYTE 3
数据
D7~D0
无影响
输入数据
无影响
输入数据
手术
模式
主要阅读
内存
更新
主内存
读保护
内存
写Procection
内存
传出数据
处理
传出数据
处理
司令部（ 2 ）说明
阅读主内存
该命令读出主存储器中的内容（与LSB在前）出发，在给定的字节
地址（ N）至末尾记忆。命令输入后，IFD必须提供足够的
时钟脉冲。的时钟数为m = （256 -N） * 8 + 1，读访问的主存储器是
总是可能的。
读保护存储
该命令传输下的32个时钟脉冲，以将连续输入的保护位
输出。 I / O是通过一个附加脉冲切换到状态h 。保护内存总是可以
读取。
更新主内存
该命令程序的地址字节的EEPROM与传输的数据字节。根据
在旧的和新的数据，下面的序列中的一个会在加工过程中发生
模式：
- 擦除和写入
（ 5.0ms ）对应于m = 255个时钟脉冲
- 写不擦除
（ 2.5毫秒），对应于m = 124个时钟脉冲
- 删除没有写
（ 2.5毫秒），对应于m = 124个时钟脉冲
（所有值在50 kHz的时钟速率）
命令项
CLK
I / O
RST
1
2
1
3
2
24
处理
1
24
2
3
m-2 m-1
m
图7更新主内存
写保护内存
此命令的执行包含所输入的数据字节的使用分配一个比较
字节在EEPROM中。在壳体同一性的保护位被写入从而使得数据
信息不变。如果数据比较结果的数据差异写的
保护位将被抑制。执行时间和所需的时钟脉冲看到更新主
内存。
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总
8页
5/18/2010
通过ICCD写
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