BL8593
P沟道MOSFET具有0.12V的肖特基二极管
描述
BL8593是专为电池充电控制器,
其特点P沟道MOSFET的特性
和0.12V的肖特基二极管反向电流
阻塞。这样的反向电流阻断功能,切
断电流时,电源电压被移除时,或
比漏极电压低,无论栅极
电压指示打开或关闭的P-MOSFET 。
BL8593也适合于在高侧开关
系统具有多电源,当隔离
不同的电源就显得至关重要了。
BL8593可以阻止反向电压高达10V。所以
它是为移动电话系统或其他足够安全
便携设备用1节锂离子电池供电。
BL8593可在DFN2x2-6L ( 2型PIN码
配置) , SC70-5和DFN1x1-5 。尤其
与包DFN1x1-5 , BL8593使自己的
在世界上可用的最小封装。
特点
PMOSFET与SBD的反向电流阻挡
0.12V的肖特基二极管的正向电压
工作输入电压范围: 12V最大
充电电流高达650mA的电流
环境温度: -20C 〜 85C
应用
蜂窝电话和其它便携式设备
功能图
订购信息/引脚配置/标记
BL8593CKCTR
DFN2x2-6L
(兼容DFN2x3
引脚输出)
BL8593CBKCTR
DFN2x2-6L
(兼容
DFN2x2引脚输出)
BL8593CA5TR
SC70-5
BL8593CKDTR
DFN1x1-5L
1. A
6. K
1. A
6. K
1. S
5.数控
2. S
OA
YW
5. D
2. NC
OA |
YW
5. G
2. G
OA
YW
4. D
3. G
4.数控
3. D
4. S
3.数控
注意: YW指年份和周部分被制造,如有更改。 OA是
该产品的代码,它不会被任何部分改变。
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