BL8596 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BL8596
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	LDO模式， OVP ，内置P-MOSFET [LDO mode OVP with Integrated P-MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 578 K
品牌：	BELLING [ SHANGHAI BELLING CO., LTD. ]

BL8596

LDO模式， OVP ，内置P-MOSFET

描述

该BL8596是Li +电池充电器IC集成P-

MOSFET。该设备制造与先进

CMOS技术来实现保持低静态

功耗比十分广阔的VCC工作

范围内。

该BL8596集成了一个P-MOSFET和肖特基

二极管通常是一个分立设备

用于传统电池充电

手机系统的设计。此外

即， BL8596就像一个LDO模式，以保持

CHRIN电压稳定时ACIN变高。和

因此它不会触发CHRIN销过电压

保护时ACIN电压上升到作为

高达15V 。

该BL8596提供完整的Li +电池充电器

保护和保存外部MOSFET和

肖特基二极管用于手机的PMIC充电器。

它可在一个DFN2x2-8L包。

上述特征和小型封装使

BL8596用于蜂窝电话应用的理想部分。

特点



内置P-MOSFET

LDO模式使得CHRIN电压稳定在

5.5V

工作输入电压范围： 15V最大

充电电流高达1A

环境温度： -20C 〜 85C

应用



蜂窝电话和其它便携式设备

应用电路

BL8596

订购信息/引脚配置/标记

BL8596CKBTR

DFN2x2-8L

BL8596CB6TR

SOT23-6L

顶部标记

OBYW

YW指年份和周部分被制造，如有更改。 OB为产品的代码;

它不会被任何部分改变。

www.belling.com.cn

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案