BLH3355 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLH3355
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内容描述：	NPN外延硅射频晶体管芯片 [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	2 页 / 88 K
品牌：	BELLING [ SHANGHAI BELLING CO., LTD. ]

BLH3355

NPN外延硅射频晶体管芯片（ BLH3355 ）

描述

NPN外延硅射频晶体管

微波低噪声放大

特点

低噪声和高增益带宽积

高功率增益

应用

UHF / VHF宽带放大器

结构

平面型

电极：铝合金

背面金属： Au合金

SIZE

芯片尺寸： 370μm × 370μm

切屑厚度： 220 ± 20微米。

垫尺寸：

φ100µm

绝对最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

价值

3.0

100

200

150

−65

+150

单位

°C

电气特性

= 25℃ ，除非另有规定

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

测试条件

= 10V ，我

=0mA

= 1.0V ，我

=0mA

= 10V ，我

=20mA

分钟。

典型值。

120

马克斯。

1.0

250

单位

µA

http://www.belling.com.cn

-1-

总

共2页

8/18/2006

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