BLV4N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLV4N60
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 496 K
品牌：	BELLING [ SHANGHAI BELLING CO., LTD. ]

BLV4N60

N沟道增强型功率MOSFET

•

抗雪崩冲击�½力强

高速开关

驱动简单

DSS

DS （ ON）

600V

2.2Ω

产品介绍

BLV4N60

是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术，

自行开发的

600V

、4A

沟

VDMOS ，

适合于各类高

效开关电源。

最大额定参数

（

=25

除非另有说明

）

符号

SDG

漏源电压

栅源电压

连续漏极电流

(

=100

)

脉冲漏极电流

(注 1)

功耗

高于

25℃线性降�½�参数

单脉冲雪崩击穿�½量

(注 2)

雪崩击穿电流

重复雪崩击穿�½量

工�½�温度范围

存储温度范围

参数

极限值

600

+ 20

2.53

104

0.83

218

10.4

-55到+150

单�½�

W/℃

热特性

符号

第j个-C

日J-一

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

参数

极限值

1.2

62.5

单�½�

℃/

http://www.belling.com.cn

-1-

共6页

10/23/2006

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