BLVP304 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLVP304
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内容描述：	[BLVP304]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 96 K
品牌：	BELLING [ SHANGHAI BELLING CO., LTD. ]

BLVP304

P沟纵向MOSFET

描述:

P沟增强型VDMOS ，高速开关，无二次击穿

产品应用：

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

(T=25℃

工�½�条件 (T=25℃)

符号

DSS

GSS

TJ ，T

SDG

漏源电压

栅源电压

漏电流

功耗双操作

结温度和存储温度

参数

极限值

-300

+ 20

-170

-55到+150

单�½�

热特性

日J-一

热阻，结到环境

125

K / W

电学特性(T

=25

符号

参数

源漏击穿电压

零栅压时的漏极电流

栅和衬底之间的漏电流

阈值电压

导通电阻

测试条件

最小典型最大

-300

-1.7

-100

+100

-2.55

单�½�

DSS

GSS

（日）

（上）

= −

240

= ±

= −

170

Ω

http://www.belling.com.cn

-1-

总

共2页

8/18/2006

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