BCP030T
高效异质结功率FET芯片（ .25μm X 300微米）
该BeRex BCP030T是GaAs pHEMT的功率与标称0.25微米栅极长度和300微米的栅极宽度
使得该产品非常适用于需要高增益和中等功率在1000 MHz至26.5
GHz的频率范围内是必需的。该产物可在任一宽带（ 6-18千兆赫）或窄带被用于
应用程序。该BCP030T使用本领域的金属化用的SI的状态产生
3
N
4
钝化和过筛以
确保可靠性
.
产品特点
25 dBm的典型输出功率
14分贝典型增益@ 12 GHz的
0.25× 300微米嵌入式门
应用
广告
军事/高可靠性。
测试测量&
电特性（调整为动力）T
a
= 25° C
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
I
DSS
G
m
V
p
BV
gd
BV
gs
R
th
参数/测试条件
输出功率@ P
1dB
(V
ds
= 8V ，我
ds
= 50%
I
DSS
)
增益@ P
1dB
(V
ds
= 8V ，我
ds
= 50% I
DSS
)
PAE @ P
1dB
(V
ds
= 8V ，我
ds
= 50% I
DSS
)
50欧姆的噪声系数（V
ds
= 2V ，我
ds
?? 15毫安
饱和漏极电流（V
gs
= 0V, V
ds
= 1.0V)
跨导（V
ds
= 2V, V
gs
= 50% I
DSS
)
夹断电压（I
ds
= 0.3毫安， V
ds
= 3V)
漏击穿电压（I
g
= 0.3毫安，源代码开放）
源极击穿电压（I
g
= 0.3毫安，开漏）
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
st
TEST
频率。
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
分钟。
24.5
13.0
典型
25.5
25.5
14.0
10.5
65
60
1.14
90
120
-1.1
-15.0
-13.0
121
马克斯。
单位
DBM
dB
%
dB
60
-2.5
120
-0.5
-12.0
mA
mS
V
V
V
° C / W
www.berex.com
BeRex ，公司1735北1街＃ 302圣何塞，加利福尼亚95112电话。 （ 408 ） 452-5595
规格若有变更，恕不另行通知。 © 2011 BeRex
修订版1.2
2011年9月
BEREX [ BEREX CORPORATION ]
