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    1SS355 参数 Datasheet PDF下载

    1SS355图片预览
    型号： 1SS355
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅外延平面二极管 [Silicon Epitaxial Planar Diode]
    分类和应用： 二极管光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 209 K
    品牌： BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
     浏览型号1SS355的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1SS355的Datasheet PDF文件第3页  
    BL
    Galaxy
    Electrical
    Production specification
    Silicon Epitaxial Planar Diode
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS
    @ Ta=25℃
    Parameter
    Forward voltage
    Reverse current
    Capacitance between
    terminals
    Reverse Recovery Time
    Symbol
    V
    F
    I
    R
    C
    T
    t
    rr
    Min.
    Typ.
    1SS355
    unless otherwise specified
    Unit
    V
    μA
    pF
    ns
    Conditions
    I
    F
    =100mA
    V
    R
    =80V
    V
    R
    =0.5V,f=1MHz
    I
    F
    =10mA,V
    R
    =6V,R
    L
    =100Ω
    Max.
    1.2
    0.1
    3
    4
    TYPICAL CHARACTERISTICS
    @ Ta=25℃ unless otherwise specified
    Document number: BL/SSSDB001
    Rev.A
    www.galaxycn.com
    2

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