BL
特点
银河电子
1N5059---1N5062
电压范围：
200---800
V
当前位置：
2.0
A
塑料硅整流
低CoS的T
弥漫性ED结
玻璃钝化芯片
低正向压降
高crrent能力
EAS随手用氟里昂，酒精， LS清洗opropand
和S IM ILAR s olvents
DO -
15
机械数据
CAS E： JEDEC DO - 15 ，米olded PLAS抽动
长期inals ：轴向引线，S olderable每MIL -STD
-202 ，方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.014盎司， 0.39克s
安装：任何
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E，半波， 50赫兹， RES是略去或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
1N5059
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD rectif IED电流
9.5毫米引线长度，
@T
A
=50
1N5060
400
280
400
2.0
1N5061
600
420
600
1N5062
800
560
800
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
200
140
200
山顶˚F ORW ARD浪涌电流
10ms的单半-sine -W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时
FORW ARD电压
最大反向电流
@T
J
=125
@1.0A
@
2.5A
@T
A
=25
(Note1)
(Note2)
(Note3)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
50.0
1.0
1.15
1.0
100
4.0
40
45
- 55 ----- + 175
- 55 ----- + 175
A
V
A
µ
s
pF
在额定阻断电压DC @T
A
=150
最大反向恢复时间
典型结电容
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
K / W
2.测得1.0MH
Z
和0V DC应用转ERSE V oltage 。
结点3到环境的热阻。
www.galaxycn.com
文档编号0260043
BL
银河电子
1.
BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
