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2N7002T 参数 Datasheet PDF下载

2N7002T图片预览
型号: 2N7002T
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内容描述: 小信号MOSFET晶体管 [Small Signal MOSFET Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 185 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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BL
银河电子
小信号MOSFET晶体管
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
前锋
反向
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=10μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
DS
=0V, V
GS
=20V
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源电压
正向跨导
I
DSS
V
DS
=60V,V
GS
=0V,T
j
=125℃
I
D(上)
V
DS ( ON)
g
FS
V
GS
=10V, V
DS
=7.5V
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
GS
=5V,I
D
=50mA
V
DS
=10V,I
D
=200mA
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
GS
=10V,I
D
=500mA,T
j
=100℃
V
GS
=5.0V,I
D
=50mA
V
GS
=5.0V,I
D
= 50毫安,T
j
=100℃
V
GS
=0V,I
D
=115mA
产品规格
2N7002T
60
1
2.0
10
-10
1
μA
500
0.5
1.0
0.6
0.09
80
1.2
1.7
1.7
2.4
0.88
22
7.5
13.5
7.5
13.5
1.5
50
25
5
20
20
ns
ns
pF
3.75
1.5
A
V
mS
典型值
最大
单位
V
nA
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
静态漏源导通电阻
R
DS ( ON)
漏源二极管正向
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
D(关闭)
V
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
V
DD
= 30V ,我
D
=0.2A,
R
L
=150Ω, V
GS
=10V,
R
= 25Ω
11
2
7.0
11
文件编号: BL / SSMTH016
Rev.A的
www.galaxycn.com
2