BL
特点
银河电子
GBU4A --- GBU4M
电压范围： 50 --- 1000 V
CURRENT ： 4.0
硅桥RECT IFIERS
理想的印刷电路板
可靠的低CoS的T利弊truction利用米olded
PLAS抽动技术
普拉斯抽动米aterrial具有U / L弗莱姆米的能力CLAS s ification
94V-O
安装POS机银行足球比赛：任何
玻璃钝化芯片路口
GBU
.933(23.7)
.894(22.7)
.185(4.7)
.165(4.2)
.160(4.1)
.140(3.5)
45
.310(7.9)
.290(7.4)
0
.140(3.56)
.130(3.30)
+
+
.075(1.9)R.TYP.
.085(2.16)
.065(1.65)
.740(18.8)
.720(18.3)
_
.080(2.03)
.060(1.52)
~
~
+
.100(2.54)
.085(2.16)
.190(4.83)
.210(5.33)
.050(1.27)
.040(1.02)
.710(18)
.690(17.5)
.085(2.18)
.075(1.90)
.022(.56)
.018(.46)
英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E，半波， 60赫兹， RES是略去或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
GBU
4A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均˚F ORW ARD锝= 100
输出电流
@T
A
=40
GBU
4B
100
70
100
GBU
4D
200
140
200
GBU
4G
400
280
400
4.0
3.0
150.0
GBU
4J
600
420
600
GBU
4K
800
560
800
GBU
4M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
ř毫秒
V
DC
50
35
50
（注1 ）
（注2 ）
I
F（ AV）
山顶˚F ORW ARD浪涌电流
8.3ms单半-sine -W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时˚F ORW ARD电压
在2.0 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=125
（注2 ）
（注1 ）
工作结温范围
存储温度范围
I
˚F SM
A
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
100
1.0
5.0
500.0
45
22.0
4.2
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
pF
/W
每腿典型结电容（注3 ）
每腿典型热阻
ñ OTE ： 1.单元格米ounted上1.6x1.6x0.06"厚（ 4.0x4.0x0.15cm ） AI 。板。
2. ü尼特米ounted上P.C .B 。与0.5x0.5" （ 12x12m M）铜焊盘和0.375"设计（9.5mm ）引线长度。
3.测得1.0 MH Z和应用4.0 V OLTS转ERSE V oltage 。
www.galaxycn.com
文档编号0287025
BL
银河电子
1.
BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
