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GBU8K 参数 Datasheet PDF下载

GBU8K图片预览
型号: GBU8K
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内容描述: 硅桥式整流器 [SILICON BRIDGE RECTIFIERS]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 104 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
 浏览型号GBU8K的Datasheet PDF文件第2页  
BL
特点
银河电子
GBU8A - - - GBU8M
电压范围: 50 --- 1000 V
电流: 8.0A
硅桥式整流器
等级达到1000V PRV
浪涌过载额定值
200
安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价,利用模压
塑料技术导致廉价的产品
每MIL -STD- 202方法208铅焊
GBU
.933(23.7)
.894(22.7)
.185(4.7)
.165(4.2)
.160(4.1)
.140(3.5)
45
0
.140(3.56)
.130(3.30)
+
+
.075(1.9)R.TYP.
.085(2.16)
.065(1.65)
.740(18.8)
.720(18.3)
_
.080(2.03)
.060(1.52)
~
~
+
玻璃钝化结
.100(2.54)
.085(2.16)
.190(4.83)
.210(5.33)
.050(1.27)
.040(1.02)
.710(18)
.690(17.5)
.085(2.18)
.075(1.90)
.022(.56)
.018(.46)
英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
GBU
8A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD
输出电流
@T
C
=100
GBU
8B
100
70
100
GBU
8D
200
140
200
GBU
8G
400
280
400
8.0
GBU
8J
600
420
600
GBU
8K
800
560
800
GBU
8M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
50
35
50
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时FORW ARD电压
@ 4.0 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=125
I
FSM
200.0
A
V
F
I
R
T
J
T
英镑
1.0
5.0
0.5
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
工作结温范围
存储温度范围
www.galaxycn.com
文档编号0287027
BL
银河电子
1.