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MMBT5401 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5401图片预览
型号: MMBT5401
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内容描述: PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 184 K
品牌: BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
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BL
银河电子
PNP通用晶体管
特点
外延平面模施工。
互补NPN类型可用
(MMBT5551).
此外,在无铅版本。
产品规格
MMBT5401
Pb
LEAD -FREE
应用
非常适用于中等功率放大和开关
SOT-23
订购信息
型号
MMBT5401
记号
2L
封装代码
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
,T
英镑
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温和存储温度
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
TEST
条件
价值
-160
-150
-5
-0.6
0.3
-55-150
分钟。
-160
-150
-5
-
-
50
60
50
-
-
100
-0.1
-0.1
-
250
-
-0.5
-1
-
V
V
兆赫
μA
μA
马克斯。
单位
V
V
V
A
W
°C
单位
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
B
I
E
=-10μA,I
C
=0
I
E
= 0; V
CB
= -120V
I
C
= 0; V
EB
= -4V
V
CE
= -5V ;我
C
= -1mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -50毫安
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安
B
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安
B
I
C
= -10mA ; V
CE
= -5V;
F = 30MHz的
文件编号: BL / SSSTC075
Rev.A的
www.galaxycn.com
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