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    MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT5551图片预览
    型号： MMBT5551
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN通用晶体管 [NPN General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 185 K
    品牌： BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
     浏览型号MMBT5551的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT5551的Datasheet PDF文件第3页  
    BL
    银河电子
    NPN通用晶体管
    特点
    外延平面模施工。
    互补PNP类型可用
    (MMBT5401).
    此外，在无铅版本。
    产品规格
    MMBT5551
    Pb
    LEAD -FREE
    应用
    非常适用于中等功率放大和开关
    SOT-23
    订购信息
    型号
    MMBT5551
    记号
    G1
    封装代码
    SOT-23
    最大额定值
    除非另有规定@ TA = 25 ℃
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    ,T
    英镑
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极耗散
    结温和存储温度
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    TEST
    条件
    价值
    180
    160
    6
    0.6
    0.3
    -55-150
    分钟。
    180
    160
    6
    -
    -
    80
    80
    30
    -
    -
    80
    0.1
    0.1
    -
    250
    -
    0.5
    1
    -
    V
    V
    兆赫
    μA
    μA
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    单位
    电气特性
    除非另有规定@ TA = 25 ℃
    I
    C
    =100μA,I
    E
    =0
    I
    C
    =0.1mA,I
    B
    =0
    B
    I
    E
    =100μA,I
    C
    =0
    I
    E
    = 0; V
    CB
    = 180V
    I
    C
    = 0; V
    EB
    = 4V
    V
    CE
    = 5V ;我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 50毫安
    I
    C
    = 50毫安;我
    B
    = 5毫安
    B
    I
    C
    = 50毫安;我
    B
    = 5毫安
    B
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 10V;
    F = 100MHz的
    文件编号： BL / SSSTC065
    Rev.A的
    www.galaxycn.com
    1

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