BL
特点
银河电子
MUR170 --- MUR1100
电压范围： 700 --- 1000 V
CURRENT ： 1.0
高效RECT IFIER
低CoS的T
弥漫性ED结
低漏
低正向压降
高crrent能力
EAS随手用氟里昂，酒精， LS清洗opropand
和S IM ILAR s olvents
DO - 41
机械数据
CAS E： JEDEC DO- 41 ，米olded PLAS抽动
长期inals ：轴向引线，S olderable每MIL -STD
-202 ，方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.012盎司， 0.34克s
安装：任何
最大额定值和电气特性
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E，半波， 50赫兹， RES是略去或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
MUR170
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD rectif IED电流
9.5毫米引线长度，
@T
A
=75
MUR180
800
560
800
1.0
MUR190
900
630
900
MUR1100
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
700
490
700
山顶˚F ORW ARD浪涌电流
10ms的单半-sine -W AVE
叠加在额定负荷
@T
J
=125
最大瞬时˚F ORW ARD电压
@ 1.0A
最大反向电流
@T
A
=25
I
FSM
V
F
I
R
TRR
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
30.0
A
1.7
10.0
100.0
75
15
60
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
在额定阻断电压DC @T
A
=100
最大反向恢复时间
典型结电容
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
注： 1.Measured与我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
(Note1)
(Note2)
(Note3)
2.测得1.0MH
Z
和4.0V DC应用转ERSE V oltage 。
结点3到环境的热阻。
www.galaxycn.com
文档编号0262021
BL
银河电子
1
.
BILIN [ GALAXY SEMI-CONDUCTOR HOLDINGS LIMITED ]
