NPN硅平面外延晶体管
2N2369
2N2369A
TO-18
博卡半导体公司
BSC
应用
2N2369 / A是NPN硅高速饱和开关，晶体管
低功耗&高速开关应用。
绝对最大额定值
描述
符号
价值
单位
VCEO
15
V
集电极发射极电压
VCES
40
V
集电极发射极电压
VCBO
40
V
集电极基极电压
VEBO
4.5
V
发射极基极电压连续
IC
200
mA
连续集电极电流
500
mA
集电极电流峰值（为10μs脉冲）
集成电路（峰值）
PD
360
mW
功率耗散@ TA = 25摄氏度
2.06
毫瓦/摄氏度
减免上述25℃
PD
1.2
W
@ TC = 25℃
PD
0.68
W
@ T = 100℃
6.85
毫瓦/摄氏度
减免Above100摄氏度
TJ ， TSTG
-65到+200
摄氏度
工作和存储结
温度范围
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
2N2369
2N2369A单位
>15
>15
V
* VCEO （SUS ） IC = 10毫安， IB = 0
集电极发射极电压
VCES
IC = 10uA的， VBE = 0
>40
>40
V
集电极发射极电压
VCBO
IC = 10uA的， IE = 0
>40
>40
V
集电极基极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
>4.5
>4.5
V
发射极基极电压连续
ICBO
VCB = 20V ， IE = 0
<400
-
nA
集电极切断电流
VCB = 20V ， IE = 0 ，TA = 150℃
<30
-
uA
冰
VCE = 20V ， VBE = 0
-
<400
nA
IB
VCE = 20V ， VBE = 0
-
<400
nA
基极电流
<0.25
<0.20
V
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） * IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC=30mA,IB=3mA
-
<0.25
V
IC=100mA,IB=10mA
-
<0.50
V
IC = 10毫安， IB = 1mA时，大= + 125摄氏度
-
<0.30
V
VBE （星期六） * IC = 10毫安， IB = 1毫安
0.7-0.85
0.7-0.85
V
基极发射极饱和电压
IC=30mA,IB=3mA
-
<1.15
V
IC=100mA,IB=10mA
-
<1.60
V
IC = 10毫安， IB = 1mA时，大= + 125摄氏度
-
>0.59
V
IC = 10毫安， IB = 1mA时，钽= -55摄氏度
-
<1.02
V
的hFE *
IC = 10毫安， VCE = 1V
40-120
40-120
直流电流
IC = 10毫安， VCE = 1V ，TA = -55摄氏度
>20
-
IC = 10毫安， VCE = 0.35V ，TA = -55摄氏度 -
>20
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BOCA [ BOCA SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
