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BD241C 参数 Datasheet PDF下载

BD241C图片预览
型号: BD241C
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 107 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD241 , BD241A , BD241B , BD241C
NPN硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
0·01
0·1
百毫安
300毫安
1A
3A
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3