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    TISP4265M3BJR 参数 Datasheet PDF下载

    TISP4265M3BJR图片预览
    型号： TISP4265M3BJR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双向晶闸管过电压保护 [BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS]
    分类和应用： 光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 388 K
    品牌： BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
     浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TISP4265M3BJR的Datasheet PDF文件第9页  
    TISP4xxxM3BJ过电压保护器系列
    电气特性， TA = 25
    °C
    （除非另有说明）
    参数
    场外重复峰值
    目前状态
    测试条件
    V
    D
    = V
    DRM
    T
    A
    = 25
    °C
    T
    A
    = 85
    °C
    ‘4070
    ‘4080
    ‘4095
    ‘4115
    ‘4125
    ‘4145
    ‘4165
    ‘4180
    ‘4200
    ‘4220
    ‘4240
    ‘4250
    ‘4265
    ‘4290
    ‘4300
    ‘4350
    ‘4360
    ‘4395
    ‘4400
    ‘4070
    ‘4080
    ‘4095
    ‘4115
    ‘4125
    ‘4145
    ‘4165
    ‘4180
    ‘4200
    ‘4220
    ‘4240
    ‘4250
    ‘4265
    ‘4290
    ‘4300
    ‘4350
    ‘4360
    ‘4395
    ‘4400
    ±0.15
    ±0.15
    ±5
    T
    A
    = 85
    °C
    ±10
    民
    典型值
    最大
    ±5
    ±10
    ±70
    ±80
    ±95
    ±115
    ±125
    ±145
    ±165
    ±180
    ±200
    ±220
    ±240
    ±250
    ±265
    ±290
    ±300
    ±350
    ±360
    ±395
    ±400
    ±78
    ±88
    ±102
    ±122
    ±132
    ±151
    ±171
    ±186
    ±207
    ±227
    ±247
    ±257
    ±272
    ±298
    ±308
    ±359
    ±370
    ±405
    ±410
    ±0.6
    ±3
    ±0.35
    单位
    µA
    I
    DRM
    V
    （BO）
    击穿电压
    的dv / dt =
    ±250
    V / ms的，R
    来源
    = 300
    Ω
    V
    V
    （BO）
    脉冲导通
    电压
    dv / dt的
    ≤
    ±1000
    V / μs的，线性电压斜坡，
    最大斜坡值=
    ±500
    V
    的di / dt =
    ±20
    A / μs的，线性电流斜坡，
    最大斜坡值=
    ±10
    A
    V
    I
    （BO）
    V
    T
    I
    H
    dv / dt的
    I
    D
    导通电流
    通态电压
    保持电流
    的临界上升率
    断态电压
    Ø FF-态电流
    的dv / dt =
    ±250
    V / ms的，R
    来源
    = 300
    Ω
    I
    T
    =
    ±5
    A，T
    W
    = 100
    µs
    I
    T
    =
    ±5
    A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
    线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
    DRM
    V
    D
    =
    ±50
    V
    A
    V
    A
    KV / μs的
    µ
    A
    1997年11月 - 修订2005年2月
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。

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