TISP7xxxF3 （MV ， HV ），过电压保护器系列
电气特性为所有终端对， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
测试条件
V
D
= V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
‘7125F3
‘7150F3
‘7180F3
‘7240F3
‘7260F3
‘7290F3
‘7320F3
‘7350F3
‘7380F3
‘7125F3
‘7150F3
‘7180F3
‘7240F3
‘7260F3
‘7290F3
‘7320F3
‘7350F3
‘7380F3
±0.1
±0.15
±5
±10
48
41
52
44
47
39
40
31
23
17
18
13
27
23
民
典型值
最大
±10
±125
±150
±180
±240
±260
±290
±320
±350
±380
±143
±168
±198
±269
±289
±319
±349
±379
±409
±0.8
±5
单位
µA
I
DRM
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
Ω
V
V
（BO）
脉冲导通
电压
dv / dt的
≤
±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值=
±500
V
的di / dt =
±20
A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值=
±10
A
V
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
Ω
I
T
=
±5
A，T
W
= 100
µs
I
T
=
±5
A， di / dt的= - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -1 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -2 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -5 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -100 V
A
V
A
KV / μs的
µA
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
DTR
= 0
（见注4 ）
记
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
7125 '通' 7180
7240 '通' 7380
37
31
40
34
36
30
31
24
17
13
14
10
20
17
pF
4 ：三端守卫测量，不可测量的端电压偏差为零。第6电容值，偏置V
D
，是
对于只以R-G和T -G的端子。最后的电容值，与偏压V
DTR
，是为T- R终端。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25
°C
5厘米
2
， FR4 PCB
ð包
SL包装
民
典型值
最大
160
135
单位
° C / W
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
