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    BA-3E12UW 参数 Datasheet PDF下载

    BA-3E12UW图片预览
    型号： BA-3E12UW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HI- EFF红筹股，这是对的GaP衬底制成的磷砷化镓 [hi-eff red chips, which are made from GaAsP on GaP substrate]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 179 K
    品牌： BRIGHT [ BRIGHT LED ELECTRONICS CORP ]
     浏览型号BA-3E12UW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BA-3E12UW的Datasheet PDF文件第3页  
    佰鸿电子股份有限公司。
    自1981年以来
    BA-3E12UW
    ●
    1.
    2.
    3.
    4.
    5.
    产品特点：
    发光面积： 18.78 × 5.85 （毫米）
    低功耗的要求。
    ●
    包装尺寸：
    19.80(.780)
    0.50(.020)
    6.80(.268)
    优秀的人物外观。
    固态可靠性。
    分类的发光强度。
    2.54(.100)
    6.40(.252)
    3.00 （ 0.118 ） MIN 。
    0.5(.020)
    12.70(.50)
    2.20(.087)
    ●
    1.
    2.
    说明：
    在BA- 3E12UW均匀，
    发光。
    本产品采用HI- EFF红筹股，
    这是在由从砷化镓
    的GaP衬底。
    3.
    4.
    该产品有一个白色的脸，
    白色段。
    本产品不含限制
    物质，符合ROHS标准。
    注意事项：
    1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
    2.公差为±0.25mm （ 0.01" ），除非另有
    指定的。
    3.规格如有变更，恕不
    通知。
    ●
    内部电路框图：
    ½鴻工業股½有限公司
    http://www.brtled.com
    1.0版本第1页3

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