BM-41EG57ND 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BM-41EG57ND
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内容描述：	HI- EFF红筹股和绿色芯片， HI- EFF RED芯片上的GaP衬底制成的砷化镓，绿色芯片上的GaP衬底制成的差距。 [hi-eff red chips and green chips, the hi-eff red chips are made from GaAsP on GaP substrate, the green chips are made from GaP on GaP substrate.]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 736 K
品牌：	BRIGHT [ BRIGHT LED ELECTRONICS CORP ]

佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

BM-41EG57ND

●

产品特点：

4.118英寸（ 104.6毫米）矩阵的高度。

方形尺寸12.0 × 12.0毫米。

低功耗的要求。

优秀的人物外观。

多路驱动，列阴极融为一体。

和行阳极融为一体。

多种颜色可选。

分类的发光强度。

可堆叠的垂直和水平方向。

固态可靠性。

●

包装尺寸：

74.80(2.945)

104.60(4.118)

76.20(3.000)

PIN 1 。

12.0x12.0

(.472x.472)

●

说明：

在BM - 41EG57ND是

104.6毫米（ 4.118" ）矩阵

身高5 × 7方形矩阵式显示。

本产品采用HI- EFF红筹股和

绿色芯片， HI- EFF RED芯片

上的GaP衬底制成的磷砷化镓，

绿色芯片来自Gap制作

GAP上subtrate 。

该产品有一个黑色的脸，

白色方块。

本产品不含限制

物质，符合ROHS标准。

12.80(.504)

0.80(.031)

5.08x8=40.64(1.600)

3.00 （ 0.118 ） MIN 。

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.公差为±0.25mm （ 0.01" ），除非另有

指定的。

3.规格如有变更，恕不

通知。

●

内部电路框图：

½鴻工業股½有限公司

http://www.brtled.com

1.0版本第1页3

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