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    BS62LV256SCG55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV256SCG55图片预览
    型号： BS62LV256SCG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 242 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV256  
    n SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
    READ CYCLE 1 (1,2,4)  
    tRC  
    ADDRESS  
    tAA  
    tOH  
    tOH  
    DOUT  
    READ CYCLE 2 (1,3,4)  
    CE  
    tACS  
    (5)  
    tCHZ  
    (5)  
    tCLZ  
    DOUT  
    READ CYCLE 3 (1, 4)  
    ADDRESS  
    tRC  
    tAA  
    OE  
    CE  
    tOH  
    tOE  
    tOLZ  
    tACS  
    (5)  
    tOHZ  
    (5)  
    (1,5)  
    tCLZ  
    tCHZ  
    DOUT  
    NOTES:  
    1. WE is high in read Cycle.  
    2. Device is continuously selected when CE = VIL.  
    3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
    4. OE = VIL.  
    5. Transition is measured ± 500mV from steady state with CL = 5pF.  
    The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
    Revision 2.6  
    Sep. 2006  
    R0201-BS62LV256  
    5

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