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    BS62LV256TCG70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV256TCG70图片预览
    型号： BS62LV256TCG70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 242 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV256TCG70的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV256
    n
    Revision History
    Revision No.
    2.4
    2.5
    History
    Add Icc1 characteristic parameter
    Change I-grade operation temperature range
    - from
    –25
    O
    C to
    –40
    O
    C
    Revised I
    CCSB1
    sepc.
    - from 1.0uA to 4.0uA for 5V C-grade
    - from 2.0uA to 5.0uA for 5V I-grade
    - from 0.2uA to 0.4uA for 3V C-grade
    - from 0.4uA to 0.7uA for 3V I-grade
    Revised I
    CCDR
    sepc.
    - from 0.2uA to 0.4uA for C-grade
    - from 0.4uA to 0.7uA for I-grade
    Draft Date
    Jan. 13, 2006
    May. 25, 2006
    Remark
    2.6
    Sep. 05, 2006
    R0201-BS62LV256
    10
    Revision 2.6
    Sep.
    2006

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