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    BS62LV1027SCP70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV1027SCP70图片预览
    型号： BS62LV1027SCP70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 128K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 372 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV1027SCP70的Datasheet PDF文件第10页  
    BS62LV1027
    Revision History
    Revision No.
    2.2
    History
    Add Icc1 characteristic parameter
    Improve Iccsb1 spec.
    I-grade from 20uA to 5.0uA at 5.0V
    2.5uA to 1.5uA at 3.0V
    C-grade from 8.0uA to 3.0uA at 5.0V
    1.3uA to 1.0uA at 3.0V
    Change I-grade operation temperature range
    - from –25
    O
    C to –40
    O
    C
    Typical value of standby current is replaced by
    maximum value in Featues and Description
    section
    Remove “-: Normal” (Leaded) PKG Material in
    ordering information
    Remove BGA Package
    Draft Date
    Jan. 13, 2006
    Remark
    2.3
    2.4
    May. 25, 2006
    Oct. 31, 2008
    R0201-BS62LV1027
    11
    Revision
    2.4
    Oct.
    2008

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