超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV8011
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 〜 3.6V
超低功耗：
工作电流： 12毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.6V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 15uA （最大） ，在3.0V / 85℃
O
数据保持电流： 7UA （最大）在85℃
V
CC
= 1.2V
高速存取时间：
-55/-70
55ns （最大）在V
CC
=3V
70ns的（最大）在V
CC
=1.8V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
描述
该BH616UV8011是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与最大待机电流高速度和低功耗的特点，
O
的55ns / 70ns的在15uA的3.6V在85℃和最大访问时间
3V/1.8V .
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV8011具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV8011可在DICE的形式， JEDEC标准
48针TSOP -I和48球BGA封装。
耗电量
功耗
产品
家庭
BH616UV8011DI
BH616UV8011AI
BH616UV8011TI
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
15uA
12uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP I- 48
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BH616UV8011TI
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV8011
1
调整
1.2
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
