超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV2016
n
特点
Ÿ
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
Ÿ
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流为0.1uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 62毫安为55ns （最大）
8毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.6uA （典型值），在25
O
C
Ÿ
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
Ÿ
自动断电，当芯片被取消
Ÿ
易于扩展CE和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为0.1uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II封装， 48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AI
BS616LV2016EI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
骰子
6.0uA
0.7uA
7mA
39mA
60mA
1.5mA
14mA
29mA
TSOP II- 44
BGA-48-0608
20uA
2.0uA
8mA
40mA
62mA
2mA
15mA
30mA
TSOP II- 44
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
n
框图
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
16
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A12 A13 A14 A15 A16 A0
A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS66LV2016
1
修订版1.4
十一月
2006
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
