BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×16或2M ×8位切换
描述
BS616LV1626
•的Vcc工作电压： 4.5 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 113毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 115毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 90毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 92毫安（ @为70ns ）工作电流
15uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
•I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV1626是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为1048676字随机存取存储器
2,097,152字节由8位选择了CIO引脚和工作在Vcc的
范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
15uA的5.0V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C .
该器件提供了三个控制输入和三态输出驱动器
为便于内存扩展。
该BS616LV1626具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1626是48引脚12mmx20mm TSOP1封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
0 ℃〜 + 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 4.5 〜 5.5V
为70ns ： 4.5 〜 5.5V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
55ns
Vcc=5V
70ns
BS616LV1626TC
BS616LV1626TI
55 / 70
55 / 70
110微安
220微安
113mA
115mA
90mA
92mA
TSOP1-48
(12mmx20mm)
TSOP1-48
(12mmx20mm)
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
/CE1
D0
D1
D2
D3
VCC
CIO
VSS
D4
D5
D6
D7
A19
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
48
47
46
A5
A6
A7
/ OE
/ UB
/磅
CE2
SAE
D15
D14
D13
D12
VSS
VCC
D11
D10
D9
D8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A19
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
24
ROW
解码器
4096
存储阵列
4096 x 4096
9
10
13
BS616LV1626TC
BS616LV1626T我
37
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
16
17
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
27
24
25
16(18)
控制
地址输入缓冲器
48引脚12mmx20mm TSOP1俯视图
LB
CIO
VDD
VSS
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1626
1
修订版2.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
