超低功耗CMOS SRAM
256K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV4016
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压:
C-等级: 1.8V 〜 3.6V
I级: 1.9V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗:
V
CC
= 2.0V
工作电流: 12毫安(最大) ,在100ns内
1毫安(最大) ,以1MHz
待机电流为0.1uA (典型值),在25
O
C
V
CC
= 3.0V
工作电流: 15毫安(最大) ,在100ns内
2毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 0.25uA (典型值),在25
O
C
Ÿ
高速存取时间:
-10
为100ns (最大值)。
Ÿ
自动断电,当芯片被取消
Ÿ
易于扩展CE和OE选项
Ÿ
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作
Ÿ
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616UV4016是一款高性能,超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为262,144和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点,
为0.1uA的电流为2.0V / 25
O
为100ns ,在C和最大访问时间
85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE)和低电平有效输出使能( OE )和三态输出
驱动程序。
该BS616UV4016具有自动断电功能,降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV4016可在DICE的形式, JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV4016DC
BS616UV4016AC
BS616UV4016EC
BS616UV4016AI
BS616UV4016EI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
4.0uA
2.0uA
2.0mA
15mA
1.0mA
12mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
2.0uA
1.0uA
1.5mA
13mA
0.8mA
10mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
,最大值)
操作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP II- 44
BGA-48-0608
TSOP II- 44
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
n
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A5
A6
A7
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BS616UV4016EC
BS616UV4016EI
1024 x 4096
4096
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
16
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
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R0201-BS616UV4016
1
修订版1.6
五月。
2006