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BS616LV1615FC-70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1615FC-70图片预览
型号: BS616LV1615FC-70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 255 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
BS616LV1615
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
,
AC电气特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
(CE2,CE1)
( LB , UB )
(CE1)
(CE2)
( LB , UB )
循环时间: 70ns的周期时间: 55ns
分钟。典型值。马克斯。
VCC = 4.5 〜 5.5V
VCC = 4.5 〜 5.5V
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
70
--
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
55
--
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出高Z( CE2 , CE1 )
数据字节控制到输出高Z( LB , UB )
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
注意:
1. t
BA
是为35ns / 30ns的( @ =速度为70ns / 55ns )与地址切换。
t
BA
是为70ns / 55ns ( @ =速度为70ns / 55ns )没有地址切换。
R0201-BS616LV1615
4
修订版2.1
一月
2004