BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
BS616LV4016
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
-40
O
O
VCC
2.4V
~ 3.6V
2.4V
~ 3.6V
C
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
C至+ 85
O
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
Vcc=3.0V
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.3
--
0.8
单位
V
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
Vcc=3.0V
2.0
--
--
--
--
--
--
--
Vcc+0.3
V
uA
uA
V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
，或OE = V
IH
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
Vcc=3.0V
1
1
0.4
V
OH
(5)
输出高电压
工作电源
电源电流
待机电流-TTL
(4)
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(3)
Vcc=3.0V
2.4
--
--
18
27
1.0
V
I
CC
70ns
Vcc=3.0V
55ns
--
--
mA
I
CCSB
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦0.2V
Vcc=3.0V
--
--
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3.0V
--
0.45
8
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
4. I
cc
SB1_max.
是的6uA @ VCC = 3.0V时0
o
C~70
o
C.
5.电流Icc
=最大。
为25mA （ @ 55ns ） / 17毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V / 0 〜 70
o
C.
R0201-BS616LV4016
3
修订版1.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
