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    BS616LV2017EI-55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2017EI-55图片预览
    型号： BS616LV2017EI-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 262 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2017EI-55的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    订购信息
    BS616LV2017
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    70 ：为70ns
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿
    P：无铅
    GRADE
    C: +0
    o
    C ~ +70
    o
    C
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    E： TSOP2-44
    答： BGA - 48-0608
    D： DICE
    BS616LV2017
    X X
    Z
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI并未授权其产品
    对于使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期会导致显著的伤害或死亡，其中包括生命支持的应用程序
    系统和关键医疗器械。
    包装尺寸
    注意事项：
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.4最大。
    球间距E = 0.75
    D
    8.0
    E
    6.0
    N
    48
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    D1
    e
    视图A
    48微型BGA （6× 8）的
    R0201-BS616LV2017
    E1
    8
    修订版1.1
    一月
    2004

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