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BS616LV8017FIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV8017FIP55图片预览
型号: BS616LV8017FIP55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 273 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
订购信息
BS616LV8017
Z
YY
速度
55 : 55ns
70 :为70ns
PKG材料
- :正常
G:绿
P:无铅
GRADE
C: +0
o
C ~ +70
o
C
I: -40
o
C ~ +85
o
C
BS616LV8017
X X
F: BGA - 48-0912
E: TSOP2-44
注意:
BSI (百联半导体公司)承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI并未授权其产品
对于使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期会导致显著的伤害或死亡,其中包括生命支持的应用程序
系统和关键医疗器械。
0.25± 0.05
包装尺寸
1.4最大。
注意事项:
1:控制尺寸以毫米为单位。
2 : PIN # 1点阵打标用激光或移印。
3 : SYMBOL "N" IS焊球的数量。
SIDE VIEW
D 0.1
3.375
D1
N
48
D
12.0
E
9.0
D1
5.25
E1
3.75
e
0.75
锡球0.35 ± 0.05
e
视图A
48微型BGA (9毫米x 12毫米)
R0201-BS616LV8017
2.625
E
±
0.1
E1
8
修订版2.1
一月
2004