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BS616LV2019DC-70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019DC-70图片预览
型号: BS616LV2019DC-70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 283 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
•易于扩展CE和OE选项
BS616LV2019
•的Vcc工作电压范围: 2.7V 〜 3.6V
•极低的功耗:
VCC = 3.0V C-等级: 23毫安( @ 55ns )工作电流
我优级: 25毫安( @ 55ns )工作电流
C-等级: 15毫安( @为70ns )工作电流
我优级: 16毫安( @为70ns )工作电流
0.3uA (典型值) CMOS待机电流
•高速存取时间:
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电,当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV2019是一款高性能,低功耗CMOS静态
随机存取存储器(16位)组织为131,072单词和
从经营范围2.7V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点,
0.3uA在3.0V / 25
o
55ns的2.7V / 85 ℃,最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能( CE )提供,
低电平有效输出使能( OE )和三态输出驱动器。
该BS616LV2019具有自动断电功能,减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2019可在DICE的形式, JEDEC标准的48引脚
TSOP I型封装, 48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV2019DC
BS616LV2019TC
BS616LV2019AC
BS616LV2019DI
BS616LV2019TI
BS616LV2019AI
操作
温度
VCC
范围
速度
(纳秒)
55ns : 2.7 〜 3.6V
为70ns : 2.7 〜 3.6V
( I
CCSB1
马克斯)
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯)
Vcc=3.0V
55ns
70ns
PKG型
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
2.7V ~3.6V
55/70
3.0uA
23mA
15mA
-40
O
C至+ 85
O
C
2.7V ~ 3.6V
55/70
5.0uA
25mA
16mA
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
/ WE
CE2
NC
/ UB
/磅
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
47
46
A16
NC
VSS
IO15
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
/ OE
VSS
/ CE
A0
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
9
10
13
16
17
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616LV2019TC
BS616LV2019TI
37
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
27
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
25
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE2 ,CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容,恕不另行通知。
R0201-BS616LV2019
1
修订版1.2
五月
2004