BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×16位
（双CE引脚）
BS616LV1611
•宽的Vcc工作电压： 2.4 〜 5.5V
•极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 45毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 46毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 36毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 37毫安（ @为70ns ）工作电流
3.0uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 113毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 115毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 90毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 92毫安（ @为70ns ）工作电流
15uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出与TTL兼容
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.5V
•易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
•I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV1611是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为1,048,576的单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
3.0uA在3V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和
三态输出驱动器。
该BS616LV1611具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1611是采用48引脚BGA封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 〜 5.5V
为70ns ： 2.7 〜 5.5V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
70ns
Vcc=5V
70ns
BS616LV1611FC
BS616LV1611FI
55 / 70
55 / 70
10uA
20uA
110uA
220uA
36mA
37mA
90mA
92mA
BGA-48-0912
BGA-48-0912
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
2
OE
UB
D10
D11
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 8192
8192
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
VCC
D14
D15
A 18
D12
D13
A19
.
A8
.
.
.
.
D15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
VCC
VSS
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
18
控制
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18 A19
48球CSP顶视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1611
1
修订版2.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
