超低功耗CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV8016
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 31毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 4 / 8uA （最大）在八十五分之七十ç
工作电流： 76毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 25 / 50uA的（最大）在八十五分之七十ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV8016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
当前8 / 50uA的在Vcc = 3 / 5V在85℃和最大访问时间
55/70ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8016是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV8016DC
BS616LV8016FC
BS616LV8016FI
操作
温度
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
骰子
BGA-48-0912
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
框图
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
A14 A15 A16 A17 A18 A0 A1 A2 A3
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8016
1
调整
2.4
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
