超低功耗CMOS SRAM
256K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV4017
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 27毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 2 / 4uA的（最大）在八十五分之七十ç
工作电流： 65毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 10 /的20uA （最大）在八十五分之七十ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV4017是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为262,144和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
当前4 /的20uA在Vcc = 3 / 5V在85℃和最大访问时间
55/70ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV4017具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4017可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV4017DC
BS616LV4017AC
BS616LV4017EC
BS616LV4017AI
BS616LV4017EI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
骰子
10uA
2.0uA
9mA
39mA
63mA
1.5mA
14mA
26mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
20uA
4.0uA
10mA
40mA
65mA
2mA
15mA
27mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
BS616LV4017EC
BS616LV4017EI
A12
A11
A10
A9
A8
A5
A6
A7
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV4017
1
调整
1.4
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
