超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV2016
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.7 /为2uA （最大值）的八十五分之七十ç
工作电流： 62毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
8毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 6 /的20uA （最大）在八十五分之七十零ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
2 /的20uA在Vcc = 3V / 5V电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II封装， 48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AI
BS616LV2016EI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
骰子
6.0uA
0.7uA
7mA
39mA
60mA
1.5mA
14mA
29mA
TSOP II- 44
BGA-48-0608
20uA
2.0uA
8mA
40mA
62mA
2mA
15mA
30mA
TSOP II- 44
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A12 A13 A14 A15 A16 A0
A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS66LV2016
1
调整
1.5
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
